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标准号：GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
中文标准名称：低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法 英文标准名称：Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices 标准状态：即将实施 在线预览 中国标准分类号（CCS）H25 国际标准分类号（ICS）77.040 发布日期2017-10-14 实施日期 2018-07-01 主管部门：国家标准化管理委员会 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 备注：
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标准号：GB/T 5252-2006 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
中文标准名称：锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法 英文标准名称：Germanium monocrystal - inspection of dislocation etch pit density 标准状态：现行 在线预览 中国标准分类号（CCS）H17 国际标准分类号（ICS）77.040.01 发布日期2006-07-18 实施日期 2006-11-01 主管部门：中国有色金属工业协会 归口单位：中国有色金属工业协会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 备注：2006-11-01实施,代替GB/T 5252-1985
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标准号：GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法
中文标准名称：砷化镓单晶位错密度的测量方法 英文标准名称：Gallium arsenide single crystal-determination of dislocation density 标准状态：现行 在线预览 中国标准分类号（CCS）H17 国际标准分类号（ICS）77.040.01 发布日期2006-07-18 实施日期 2006-11-01 主管部门：中国有色金属工业协会 归口单位：中国有色金属工业协会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 备注：2006-11-01实施,代替GB/T 8760-1988
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标准号：GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法
中文标准名称：氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法 英文标准名称：Test method for disoclation density of GaN single crystal—Cathodoluminescence spectroscopy 标准状态：现行 在线预览 中国标准分类号（CCS）H21 国际标准分类号（ICS）77.040 发布日期2015-12-10 实施日期 2016-11-01 主管部门：国家标准化管理委员会 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 备注：
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标准号：GB/T 33763-2017 蓝宝石单晶位错密度测量方法
中文标准名称：蓝宝石单晶位错密度测量方法 英文标准名称：Test method for dislocation density of sapphire single crystal 标准状态：即将实施 在线预览 中国标准分类号（CCS）H25 国际标准分类号（ICS）77.040 发布日期2017-05-31 实施日期 2017-12-01 主管部门：国家标准化管理委员会 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 备注：
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