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标准号：GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
中文标准名称：低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法 英文标准名称：Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices 标准状态：即将实施 在线预览 中国标准分类号（CCS）H25 国际标准分类号（ICS）77.040 发布日期2017-10-14 实施日期 2018-07-01 主管部门：国家标准化管理委员会 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 备注：
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标准号：GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法
中文标准名称：碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法 英文标准名称：Test method for measuring micropipe density of monocrystalline silicon carbide wafers―Chemically etching 标准状态：现行 在线预览 中国标准分类号（CCS）H83 国际标准分类号（ICS）29.045 发布日期2014-07-24 实施日期 2015-02-01 主管部门：国家标准化管理委员会 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 备注：2014年第19号公告
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标准号：GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
中文标准名称：碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法 英文标准名称：Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers 标准状态：现行 在线预览 中国标准分类号（CCS）H83 国际标准分类号（ICS）29.045 发布日期2014-07-24 实施日期 2015-02-01 主管部门：国家标准化管理委员会 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 备注：2014年第19号公告
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标准号：GB/T 30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法
中文标准名称：碳化硅单晶片直径测试方法 英文标准名称：Test method for measuring diameter of monocrystalline silicon carbide wafers 标准状态：现行 在线预览 中国标准分类号（CCS）H83 国际标准分类号（ICS）29.045 发布日期2014-07-24 实施日期 2015-02-01 主管部门：国家标准化管理委员会 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 备注：2014年第19号公告
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标准号：GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法
中文标准名称：碳化硅单晶片平整度测试方法 英文标准名称：Test methods for flatness of monocrystalline silicon carbide wafers 标准状态：现行 在线预览 中国标准分类号（CCS）H21 国际标准分类号（ICS）77.040 发布日期2015-12-10 实施日期 2017-01-01 主管部门：国家标准化管理委员会 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 备注：
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