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石墨烯纳米晶体管研制取得进展
据瑞士联邦材料研究所（EMPA）消息，该所与德国马普学会高分子研究所、美国加州大学伯克利分校合作开展的纳米晶体管研制取得重要进展，使用石墨烯纳米带制成的核心结构大幅度提升了纳米晶体管的性能和成品率，为纳米半导体器件进入实用阶段创造了条件。 石墨烯材料制成的石墨烯纳米带可展示优良的半导体性能，但其半导体特性与石墨烯纳米带边缘的碳原子排列密切相关，如边缘的碳原子呈锯齿状状排列，显示出的是金属导体的性能，如呈有规则的“扶手椅”状排列，则显示出半导体性能，因此对其制备技术的要求非常严格。 据介绍，科研团队开发出一种新的方法，通过将预先制备的碳分子材料在高真空环境中气
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标准号：GB/T 12300-1990 功率晶体管安全工作区测试方法
中文标准名称：功率晶体管安全工作区测试方法 英文标准名称：Test methods of safe operating area for power transistors 标准状态：现行 该推荐性标准采用了ISO、IEC等国际国外组织的标准，由于涉及版权保护问题，本系统暂不提供在线阅读服务。如需正式标准出版物，请联系中国标准出版社。 中国标准分类号（CCS）L40 国际标准分类号（ICS）31.080.30 发布日期1990-03-15 实施日期 1990-08-01 主管部门：中国电器工业协会 归口单位：全国输配电用电力电子器件标准化技术委员会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 备注：1990-08-01实施
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标准号：GB/T 16468-1996 静电感应晶体管系列型谱
中文标准名称：静电感应晶体管系列型谱 英文标准名称：Series programmes for static induction transistors 标准状态：现行 在线预览 中国标准分类号（CCS）L44 国际标准分类号（ICS） 发布日期1996-07-09 实施日期 1997-01-01 主管部门：工业和信息化部（电子） 归口单位：工业和信息化部（电子） 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 备注：
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标准号：GB/T 6590-1998 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范
中文标准名称：半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范 英文标准名称：Semiconductor devices--Discrete devices--Part6:Thyristors--Section Two:Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs)，ambient or case-rated，up to 100A 标准状态：现行 该推荐性标准采用了ISO、IEC等国际国外组织的标准，由于涉及版权保护问题，本系统暂不提供在线阅读服务。如需正式标准出版物，请联系中国标准出版社。 中国标准分类号（CCS）L43 国际标准分类号（ICS）31.080.20 发布日期1998-11-17 实施日期 1999-06-01 主
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标准号：GB/T 6352-1998 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范
中文标准名称：半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范 英文标准名称：Semiconductor devices--Discrete devices--Part 6:Thyristors--Section One:Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors，ambient or case-rated，up to 100A 标准状态：现行 该推荐性标准采用了ISO、IEC等国际国外组织的标准，由于涉及版权保护问题，本系统暂不提供在线阅读服务。如需正式标准出版物，请联系中国标准出版社。 中国标准分类号（CCS）L43 国际标准分类号（ICS）31.080.20 发布日期1998-11-17 实施日期 1999-06-01 主管
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标准号：GB/T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范
中文标准名称：半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范 英文标准名称：Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors--Section One:Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz 标准状态：现行 该推荐性标准采用了ISO、IEC等国际国外组织的标准，由于涉及版权保护问题，本系统暂不提供在线阅读服务。如需正式标准出版物，请联系中国标准出版社。 中国标准分类号（CCS）L42 国际标准分类号（ICS）31.080.30 发布日期1998-11-17 实施日期 1999-06-01 主管部门：工业
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