-
标准号：GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
中文标准名称：低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法 英文标准名称：Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices 标准状态：即将实施 在线预览 中国标准分类号（CCS）H25 国际标准分类号（ICS）77.040 发布日期2017-10-14 实施日期 2018-07-01 主管部门：国家标准化管理委员会 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 备注：
-
标准号：GB/T 16596-1996 确定晶片坐标系规范
中文标准名称：确定晶片坐标系规范 英文标准名称：Specification for establishing a wafer coordinatesystem 标准状态：现行 该推荐性标准采用了ISO、IEC等国际国外组织的标准，由于涉及版权保护问题，本系统暂不提供在线阅读服务。如需正式标准出版物，请联系中国标准出版社。 中国标准分类号（CCS）H21 国际标准分类号（ICS）29.045 发布日期1996-11-04 实施日期 1997-04-01 主管部门：国家标准化管理委员会 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 备注：1997-04-01实施
-
标准号：GB/T 16595-1996 晶片通用网格规范
中文标准名称：晶片通用网格规范 英文标准名称：Specification for a universal wafer grid 标准状态：现行 该推荐性标准采用了ISO、IEC等国际国外组织的标准，由于涉及版权保护问题，本系统暂不提供在线阅读服务。如需正式标准出版物，请联系中国标准出版社。 中国标准分类号（CCS）H82 国际标准分类号（ICS）29.045 发布日期1996-11-04 实施日期 1997-04-01 主管部门：国家标准化管理委员会 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 备注：1997-04-01实施
-
标准号：GB/T 13387-2009 硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法
中文标准名称：硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法 英文标准名称：Test method for measuring flat length wafers of silicon and other electronic materials 标准状态：现行 该推荐性标准采用了ISO、IEC等国际国外组织的标准，由于涉及版权保护问题，本系统暂不提供在线阅读服务。如需正式标准出版物，请联系中国标准出版社。 中国标准分类号（CCS）H80 国际标准分类号（ICS）29.045 发布日期2009-10-30 实施日期 2010-06-01 主管部门：国家标准化管理委员会 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 备注
-
标准号：GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
中文标准名称：硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法 英文标准名称：Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy 标准状态：现行 在线预览 中国标准分类号（CCS）G04 国际标准分类号（ICS）71.040.40 发布日期2010-09-26 实施日期 2011-08-01 主管部门：国家标准化管理委员会 归口单位：全国微束分析标准化技术委员会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 备注：2011-08-01实施
-
标准号：GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
中文标准名称：硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法 英文标准名称：practice for shallow etch pit detection on silicon 标准状态：现行 在线预览 中国标准分类号（CCS）H80 国际标准分类号（ICS）29.045 发布日期2011-01-10 实施日期 2011-10-01 主管部门：国家标准化管理委员会 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 备注：2011-10-01实施
-
标准号：GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法
中文标准名称：化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法 英文标准名称：Characterization of subsurface damage in polished compound semiconductor wafers by reflectance difference spectroscopy method 标准状态：现行 在线预览 中国标准分类号（CCS）H17 国际标准分类号（ICS）77.040.99 发布日期2011-01-10 实施日期 2011-10-01 主管部门：国家标准化管理委员会 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 备注：2011-10-01实施
-
标准号：GB/T 30118-2013 声表面波（SAW）器件用单晶晶片规范与测量方法
中文标准名称：声表面波（SAW）器件用单晶晶片规范与测量方法 英文标准名称：Single crystal wafers for surface acoustic wave (SAW) device applications―Specifications and measuring methods 标准状态：现行 该推荐性标准采用了ISO、IEC等国际国外组织的标准，由于涉及版权保护问题，本系统暂不提供在线阅读服务。如需正式标准出版物，请联系中国标准出版社。 中国标准分类号（CCS）L21 国际标准分类号（ICS）31.140 发布日期2013-12-17 实施日期 2014-05-15 主管部门：工业和信息化部（电子） 归口单位：全国频率控制和选择用压电器件标准化技术委员会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检
-
标准号：GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法
中文标准名称：碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法 英文标准名称：Test method for measuring micropipe density of monocrystalline silicon carbide wafers―Chemically etching 标准状态：现行 在线预览 中国标准分类号（CCS）H83 国际标准分类号（ICS）29.045 发布日期2014-07-24 实施日期 2015-02-01 主管部门：国家标准化管理委员会 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 备注：2014年第19号公告
-
标准号：GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
中文标准名称：碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法 英文标准名称：Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers 标准状态：现行 在线预览 中国标准分类号（CCS）H83 国际标准分类号（ICS）29.045 发布日期2014-07-24 实施日期 2015-02-01 主管部门：国家标准化管理委员会 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 备注：2014年第19号公告
条件筛选
