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  • 标准号：GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法

    中文标准名称：低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法 英文标准名称：Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities 标准状态：现行 该推荐性标准采用了ISO、IEC等国际国外组织的标准，由于涉及版权保护问题，本系统暂不提供在线阅读服务。如需正式标准出版物，请联系中国标准出版社。 中国标准分类号（CCS）H80 国际标准分类号（ICS）29.045 发布日期2009-10-30 实施日期 2010-06-01 主管部门：国家标准化管理委员会 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

    2017-09-11 16:25:56
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  • 标准号：GB/T 24574-2009 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法

    中文标准名称：硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法 英文标准名称：Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for III-V impurities 标准状态：现行 该推荐性标准采用了ISO、IEC等国际国外组织的标准，由于涉及版权保护问题，本系统暂不提供在线阅读服务。如需正式标准出版物，请联系中国标准出版社。 中国标准分类号（CCS）H80 国际标准分类号（ICS）29.045 发布日期2009-10-30 实施日期 2010-06-01 主管部门：国家标准化管理委员会 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

    2017-09-11 16:25:51
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  • 标准号：GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法

    中文标准名称：硅单晶电阻率测定方法 英文标准名称：Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon 标准状态：现行 该推荐性标准采用了ISO、IEC等国际国外组织的标准，由于涉及版权保护问题，本系统暂不提供在线阅读服务。如需正式标准出版物，请联系中国标准出版社。 中国标准分类号（CCS）H80 国际标准分类号（ICS）29.045 发布日期2009-10-30 实施日期 2010-06-01 主管部门：国家标准化管理委员会 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 备注：2010-06-01实施

    2017-09-11 16:25:44
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  • 标准号：GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法

    中文标准名称：碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法 英文标准名称：Test method for measuring micropipe density of monocrystalline silicon carbide wafers―Chemically etching 标准状态：现行 在线预览 中国标准分类号（CCS）H83 国际标准分类号（ICS）29.045 发布日期2014-07-24 实施日期 2015-02-01 主管部门：国家标准化管理委员会 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 备注：2014年第19号公告

    2017-09-11 15:56:42
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  • 标准号：GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法

    中文标准名称：碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法 英文标准名称：Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers 标准状态：现行 在线预览 中国标准分类号（CCS）H83 国际标准分类号（ICS）29.045 发布日期2014-07-24 实施日期 2015-02-01 主管部门：国家标准化管理委员会 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 备注：2014年第19号公告

    2017-09-11 15:56:41
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  • 标准号：GB/T 30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法

    中文标准名称：碳化硅单晶片直径测试方法 英文标准名称：Test method for measuring diameter of monocrystalline silicon carbide wafers 标准状态：现行 在线预览 中国标准分类号（CCS）H83 国际标准分类号（ICS）29.045 发布日期2014-07-24 实施日期 2015-02-01 主管部门：国家标准化管理委员会 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 备注：2014年第19号公告

    2017-09-11 15:56:41
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  • 标准号：GB/T 31351-2014 碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法

    中文标准名称：碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法 英文标准名称：Nondestructive test method for micropipe density of polished monocrystalline silicon carbide wafers 标准状态：现行 在线预览 中国标准分类号（CCS）H26 国际标准分类号（ICS）77.040.99 发布日期2014-12-31 实施日期 2015-09-01 主管部门：国家标准化管理委员会 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 备注：

    2017-09-11 15:54:00
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  • 标准号：GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程

    中文标准名称：掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程 英文标准名称：Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped, phosphorus-doped, and arsenic-doped silicon 标准状态：现行 在线预览 中国标准分类号（CCS）H80 国际标准分类号（ICS）29.045 发布日期2014-12-31 实施日期 2015-09-01 主管部门：国家标准化管理委员会 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 备注：

    2017-09-11 15:53:57
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  • 标准号：GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法

    中文标准名称：碳化硅单晶片平整度测试方法 英文标准名称：Test methods for flatness of monocrystalline silicon carbide wafers 标准状态：现行 在线预览 中国标准分类号（CCS）H21 国际标准分类号（ICS）77.040 发布日期2015-12-10 实施日期 2017-01-01 主管部门：国家标准化管理委员会 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 备注：

    2017-09-07 15:13:52
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