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标准号：GB/T 1557-2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
中文标准名称：硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 英文标准名称：The method of determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption 标准状态：现行 在线预览 中国标准分类号（CCS）H17 国际标准分类号（ICS）77.040.01 发布日期2006-07-18 实施日期 2006-11-01 主管部门：中国有色金属工业协会 归口单位：中国有色金属工业协会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 备注：2006-11-01实施,代替GB 1557-1983,GB/T 14143-1993,GB/T 1557-1989
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标准号：GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
中文标准名称：硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法 英文标准名称：Testing method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon 标准状态：现行 该推荐性标准采用了ISO、IEC等国际国外组织的标准，由于涉及版权保护问题，本系统暂不提供在线阅读服务。如需正式标准出版物，请联系中国标准出版社。 中国标准分类号（CCS）H80 国际标准分类号（ICS）29.045 发布日期2009-10-30 实施日期 2010-06-01 主管部门：国家标准化管理委员会 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 备注：2010-
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标准号：GB/T 1554-2009 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
中文标准名称：硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 英文标准名称：Testing method for crystallographic perfection of silicon by preferential etch techniques 标准状态：现行 在线预览 中国标准分类号（CCS）H80 国际标准分类号（ICS）29.045 发布日期2009-10-30 实施日期 2010-06-01 主管部门：国家标准化管理委员会 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 备注：2010-06-01实施,代替GB/T 1554-1995
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标准号：GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
中文标准名称：硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法 英文标准名称：Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy 标准状态：现行 在线预览 中国标准分类号（CCS）G04 国际标准分类号（ICS）71.040.40 发布日期2010-09-26 实施日期 2011-08-01 主管部门：国家标准化管理委员会 归口单位：全国微束分析标准化技术委员会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 备注：2011-08-01实施
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标准号：GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
中文标准名称：硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法 英文标准名称：practice for shallow etch pit detection on silicon 标准状态：现行 在线预览 中国标准分类号（CCS）H80 国际标准分类号（ICS）29.045 发布日期2011-01-10 实施日期 2011-10-01 主管部门：国家标准化管理委员会 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 备注：2011-10-01实施
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