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标准号:GB/T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范
作者:国家标准全文公开系统
发布时间:2017-09-12
来源:
中文标准名称:半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范
英文标准名称:Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors--Section One:Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz
标准状态:现行
该推荐性标准采用了ISO、IEC等国际国外组织的标准,由于涉及版权保护问题,本系统暂不提供在线阅读服务。如需正式标准出版物,请联系中国标准出版社。
中国标准分类号(CCS)L42
国际标准分类号(ICS)31.080.30
发布日期1998-11-17
实施日期 1999-06-01
主管部门:工业和信息化部(电子)
归口单位:全国半导体器件标准化技术委员会
发布单位:中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
备注:1999-06-01实施,代替GB 6219-1986