中国电子技术标准化研究院获CNAS认可 具备全面集成电路电磁兼容检测能力

中国电子技术标准化研究院赛西实验室电磁兼容实验室具备全面的集成电路电磁兼容检测能力，并已获得CNAS认可。具体标准和参数如下：

标准代号

标准名称

试验项目

参数

IEC61967-2:2005

SJ21147.2-2016

集成电路电磁发射测量方法——辐射发射测量方法——TEM小室法

TEM小室法辐射发射

频率范围：DC~3GHz；

受试PCB板面积：最大100mm×100mm。

IEC61967-4:2002

IEC61967-4:2006

SJ21147.4-2016

集成电路电磁发射测量方法——传导发射测量方法——1Ω/150Ω直接耦合法

1Ω/150Ω直接耦合法传导发射

1Ω频率范围：0.2kHz~3GHz；

150Ω频率范围：150kHz~3GHz。

IEC62132-2:2010

SJ21473.2-2018

集成电路电磁抗扰度测量方法——辐射抗扰度测量方法

——TEM小室

TEM小室法辐射抗扰度

频率范围：DC~3GHz；

受试PCB板面积：最大100mm×100mm。

IEC62132-4:2006

SJ21473.4-2018

集成电路电磁抗扰度测量方法——辐射抗扰度测量方法

——射频功率注入法

射频功率直接注入法抗扰度

频率范围：200kHz~1GHz；

注入电流：最大1A；

注入功率：最大30W。

IEC62132-3:2007

SJ21473.3-2018

集成电路电磁抗扰度测量方法——辐射抗扰度测量方法

——大电流注入法

大电流注入法传导抗扰度

注入电流：最大200mA；

频率范围：4kHz~400MHz。

IEC/TS 62215-2:2007

集成电路脉冲抗扰度测量方法——同步瞬态注入法

电快速瞬变脉冲群同步瞬态注入法抗扰度

浪涌同步瞬态注入法抗扰度

车辆电源电压瞬态干扰同步瞬态注入法抗扰度

车辆非电源电压瞬态干扰同步瞬态注入法抗扰度

EFT注入法参数：

注入电压：最大6kV；

耦合电容：2.2pF、10pF、100pF、1nF、100nF(可选)。

浪涌注入法参数：

注入电压：最大6kV。

车辆电源电压瞬态干扰注入法

车辆非电源电压瞬态干扰注入法

IEC62215-3:2013

集成电路脉冲抗扰度测量方法——非同步瞬态注入法

电快速瞬变脉冲群非同步瞬态注入法抗扰度

浪涌非同步瞬态注入法抗扰度

车辆电源电压瞬态干扰非同步瞬态注入法抗扰度

车辆非电源电压瞬态干扰非同步瞬态注入法抗扰度

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